Artikelnummer | PDTD113EQAZ |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 1k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 1k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 210MHz |
Leistung max | 325mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | DFN1010D-3 |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 3DFN
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 3DFN
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
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