Artikelnummer | PDTA123JTVL |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
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