Artikelnummer | BSH108,215 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 830mW (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 10V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
Auf Lager: 127444
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
Auf Lager: 25083
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
Auf Lager: 45000
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
Auf Lager: 0