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| Artikelnummer | MDS150 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
| Frequenz - Übergang | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinnen | 10dB |
| Leistung max | 350W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 4A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55AW |
| Lieferantengerätepaket | 55AW |
