Artikelnummer | JANTXV2N2906AL |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 600mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 50nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Leistung max | 500mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-18 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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