Artikelnummer | JANTX2N3810 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 2 PNP (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Leistung max | 350mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-78-6 Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-78-6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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