Artikelnummer | JANTX1N4153UR-1 |
---|---|
Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 100µA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-213AA |
Lieferantengerätepaket | DO-213AA |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Auf Lager: 87
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Auf Lager: 100
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Auf Lager: 39
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Auf Lager: 36
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Auf Lager: 4