Artikelnummer | JANS2N3637 |
---|---|
Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 175V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-39 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200MA DO35
Auf Lager: 500
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Auf Lager: 1
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Auf Lager: 500
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA
Auf Lager: 19
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
Auf Lager: 762
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA
Auf Lager: 500
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL
Auf Lager: 491