Artikelnummer | JAN1N6630U |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 900V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1.4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 900V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SQ-MELF, E |
Lieferantengerätepaket | D-5B |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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