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| Artikelnummer | APTM50DDA10T3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 37A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4367pF @ 25V |
| Leistung max | 312W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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