provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APTM10TAM19FPG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 70A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Leistung max | 208W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6-P |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Auf Lager: 46
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
Auf Lager: 0
