Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APTGT400SK120D3G

Microsemi Corporation APTGT400SK120D3G

Artikelnummer
APTGT400SK120D3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 580A 2100W D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Produktparameter
Artikelnummer APTGT400SK120D3G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 580A
Leistung max 2100W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 400A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 750µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 29nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D-3 Module
Lieferantengerätepaket D3
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