Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APTGT100H60T3G

Microsemi Corporation APTGT100H60T3G

Artikelnummer
APTGT100H60T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • 1 pcs

    39.62500/pcs
  • 10 pcs

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  • 25 pcs

    35.54360/pcs
  • 100 pcs

    33.62225/pcs
Gesamt:39.62500/pcs Unit Price:
39.62500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APTGT100H60T3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 340W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
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