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| Artikelnummer | APTGLQ75H65T1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Full Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150A |
| Leistung max | 250W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6
Auf Lager: 5
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 1200V 140A SP6-P
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
Auf Lager: 10
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3
Auf Lager: 50
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6
Auf Lager: 10
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 420A 1500W D3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 420A 1500W D3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 1200V 65A SP1
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 1200V 65A SP3
Auf Lager: 0
