Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APTGF200U120DG

Microsemi Corporation APTGF200U120DG

Artikelnummer
APTGF200U120DG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 275A 1136W SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPTGF200U120DG
TeilstatusObsolete
IGBT-TypNPT
AufbauSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)275A
Leistung max1136W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13.8nF @ 25V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6
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