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| Artikelnummer | APTC90HM60T3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 59A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Leistung max | 462W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
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