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| Artikelnummer | APT43M60B2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8590pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 780W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 21A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
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