provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT40GP90JDQ2 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 900V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 64A |
| Leistung max | 284W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 40A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Auf Lager: 5
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Auf Lager: 2905
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Auf Lager: 355
