Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln APT38N60BC6

Microsemi Corporation APT38N60BC6

Artikelnummer
APT38N60BC6
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • 100 pcs

    3.18620/pcs

  • 500 pcs

    2.66952/pcs

  • 1,000 pcs

    2.32506/pcs
Gesamt:4.11000/pcsUnit Price:
4.11000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT38N60BC6
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C38A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs112nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2826pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)278W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247 [B]
Paket / FallTO-247-3
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