provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT38F80L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8070pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Auf Lager: 14
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Auf Lager: 0
