Artikelnummer | APT33N90JCU2 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 33A |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | Super Junction |
Verlustleistung (Max) | 290W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Auf Lager: 31
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Auf Lager: 564
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Auf Lager: 17
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Auf Lager: 2903
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Auf Lager: 125
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Auf Lager: 77
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Auf Lager: 3