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| Artikelnummer | APT30SCD120B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 99A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 30A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 600µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F | 2100pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
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