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| Artikelnummer | 2N6800U |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 400V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.75nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Paket / Fall | 18-BQFN Exposed Pad |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Auf Lager: 0
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