Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2N3019S

Microsemi Corporation 2N3019S

Artikelnummer
2N3019S
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO-39
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Produktparameter
Artikelnummer2N3019S
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 500mA, 10V
Leistung max800mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-39
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