Artikelnummer | JANTX1N5526BUR-1 |
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Teilstatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | - |
Impedanz (Max) (Zzt) | 30 Ohm |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 6.2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-213AA |
Lieferantengerätepaket | DO-213AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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