| Artikelnummer | APT1608F3C |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Infrared (IR) |
| Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 50mA |
| Strahlungsintensität (Ie) Min @ If | 1.2mW/sr @ 20mA |
| Wellenlänge | 940nm |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Blickwinkel | 120° |
| Orientierung | Top View |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 0603 (1608 Metric) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Auf Lager: 14
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Auf Lager: 7
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Auf Lager: 30