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| Artikelnummer | IXTT100N25P |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 600W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
Auf Lager: 319
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Auf Lager: 88
