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| Artikelnummer | IXTA08N100P |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 42W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXTA) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
Auf Lager: 29
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Auf Lager: 55
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
Auf Lager: 550
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Auf Lager: 107
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
Auf Lager: 596
