Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln IXGT30N60B2D1

IXYS IXGT30N60B2D1

Artikelnummer
IXGT30N60B2D1
Hersteller
IXYS
Beschreibung
IGBT 600V 70A 190W TO268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
IXYS

IXYS

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Produktparameter
Artikelnummer IXGT30N60B2D1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 24A
Leistung max 190W
Energie wechseln 320µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 66nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 13ns/110ns
Testbedingung 400V, 24A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 25ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Lieferantengerätepaket TO-268
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