Artikelnummer | IXFN100N20 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 520W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 500mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE
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