Artikelnummer | 71V416L10BEG |
---|---|
Teilstatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 48-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 48-CABGA (9x9) |
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
Auf Lager: 0
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
Auf Lager: 0
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
Auf Lager: 0
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
Auf Lager: 0
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Auf Lager: 4874
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Auf Lager: 137
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ
Auf Lager: 0
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ
Auf Lager: 0