Artikelnummer | 70P269L90BYGI8 |
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Teilstatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Speichergröße | 256Kb (16K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 90ns |
Zugriffszeit | 90ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 100-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 100-CABGA (6x6) |
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 256KBIT 40NS 81CABGA
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 256KBIT 65NS 100FBGA
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 256KBIT 65NS 100FBGA
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 256KBIT 90NS 100FBGA
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 256KBIT 90NS 100FBGA
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 256KBIT 65NS 100FBGA
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