Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln SPN03N60C3

Infineon Technologies SPN03N60C3

Artikelnummer
SPN03N60C3
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer SPN03N60C3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.8W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
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