Artikelnummer | SPN03N60C3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.8W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
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Hersteller: Sullins Connector Solutions
Beschreibung: CONN JUMPER SHORTING 2MM GOLD
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Hersteller: Sullins Connector Solutions
Beschreibung: CONN JUMPER SHORTING 2MM GOLD
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Hersteller: Sullins Connector Solutions
Beschreibung: CONN JUMPER SHORTING 2MM GOLD
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Hersteller: Sullins Connector Solutions
Beschreibung: CONN SHUNT 2MM OPEN TOP 2PS GOLD
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
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