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| Artikelnummer | SPB80N03S2L-03 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: H&D Wireless AB
Beschreibung: RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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