Artikelnummer | SIDC59D170H |
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Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 100A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 100A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 27µA @ 1700V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Sawn on foil |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
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