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| Artikelnummer | IRLML2803GTRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 540mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 910mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro3™/SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
Auf Lager: 9000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
Auf Lager: 27000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
Auf Lager: 126000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
Auf Lager: 12000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Auf Lager: 33000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Auf Lager: 15000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
Auf Lager: 3000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
Auf Lager: 0
