Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln IRGS8B60KPBF

Infineon Technologies IRGS8B60KPBF

Artikelnummer
IRGS8B60KPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 600V 28A 167W D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IRGS8B60KPBF
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 28A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 34A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A
Leistung max 167W
Energie wechseln 160µJ (on), 160µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 29nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/140ns
Testbedingung 400V, 8A, 50 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
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