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| Artikelnummer | IRFSL3207ZPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6920pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 75A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Auf Lager: 989
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Auf Lager: 1979
