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| Artikelnummer | IRFS7734PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 183A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10150pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 290W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 340
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
