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| Artikelnummer | IRFHS8242TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 653pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-PowerVDFN |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Auf Lager: 4000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Auf Lager: 0
