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| Artikelnummer | IRF7478TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1740pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Auf Lager: 4000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Auf Lager: 5991
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Auf Lager: 12000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
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