Artikelnummer | IPP60R099P6XKSA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3330pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 278W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO-220-3 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: HIGH POWER_NEW
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: HIGH POWER_NEW
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220-3
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