Artikelnummer | IPB80N04S2H4ATMA1 |
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Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 148nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 80A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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