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| Artikelnummer | IPB65R660CFD |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Auf Lager: 2000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO263-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO263-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO263-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Auf Lager: 3000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO263-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO263
Auf Lager: 0
