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| Artikelnummer | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 110µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 37.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
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