Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln BCV27E6327HTSA1

Infineon Technologies BCV27E6327HTSA1

Artikelnummer
BCV27E6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer BCV27E6327HTSA1
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Leistung max 360mW
Frequenz - Übergang 170MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket PG-SOT23-3
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