Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung BCR573E6327HTSA1

Infineon Technologies BCR573E6327HTSA1

Artikelnummer
BCR573E6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer BCR573E6327HTSA1
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 150MHz
Leistung max 330mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket PG-SOT23-3
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