global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.
| Artikelnummer | GP2M020A050N |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 312W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A TO220
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
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