Global Power Technologies Group GP2M004A060PG

Artikelnummer: GP2M004A060PG
Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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Produktparameter

Artikelnummer	GP2M004A060PG
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	545pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	86.2W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-Pak
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA