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Artikelnummer | MSRTA200160(A)D |
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Teilstatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1600V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Three Tower |
Lieferantengerätepaket | Three Tower |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
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